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晶体管
SUP70060E-GE3参考图片

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SUP70060E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220
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库存：4,987(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.3679
133.679
100
¥10.3734
1037.34
500
¥9.0626
4531.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
131 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
ThunderFET
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
SUP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，SUP70060E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RGT50TS65DGC11
ROHM Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V 25A IGBT Stop Trench
1:¥24.2046
10:¥20.5886
100:¥17.8992
250:¥16.9839
参考库存:3962
AUIRF540Z
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.7632
参考库存:4502
ZVN3306A
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥5.537
10:¥4.6443
100:¥2.9945
1,000:¥2.3956
参考库存:8747
PDTC124EMB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Resistor Equipped Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:13556
15C01C-TB-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 0.7A 15V
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:6533
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