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晶体管

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VS-GB150TS60NPBF

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 138 Amp 600 Volt Half-Bridge
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数量单价合计
15
¥656.2136
9843.204
30
¥634.3142
19029.426
60
¥625.6358
37538.148
105
¥590.6736
62020.728
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
138 A
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
高度
30 mm
长度
94 mm
宽度
35 mm
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
商标名
HEXFRED
零件号别名
GB150TS60NPBF
单位重量
200 g
商品其它信息
优势价格，VS-GB150TS60NPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC857AMB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 100 mA PNP General Purpose Tran
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:33951
NGTD30T120F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
158:¥28.4308
250:¥26.9731
500:¥24.2046
1,000:¥20.4417
参考库存:47409
TP2435N8-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 350V 15Ohm
1:¥10.7576
10:¥10.5994
25:¥8.9157
100:¥8.1473
2,000:¥5.6161
4,000:查看
参考库存:6893
MRFE6VP6600GNR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥654.5186
参考库存:33958
NTMFS4H01NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 25V 334A 700MO
1,500:¥6.5201
4,500:¥6.2828
9,000:¥6.0342
参考库存:583608
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