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晶体管
TK30A06N1,S4X参考图片

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TK30A06N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V
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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥5.5596
55.596
100
¥3.5821
358.21
1,000
¥2.8702
2870.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
12.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK30A06N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK30A06N1,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFSL7540PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 60V Single N-Channel HEXFET Power
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.1417
参考库存:3195
NSVMMUN2132LT1G
ON Semiconductor
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双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
9,000:¥0.4068
参考库存:13685
TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
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1:¥12.9837
10:¥10.4525
100:¥8.0682
500:¥7.0738
参考库存:5578
TK8A50DA(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm
1:¥12.6786
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.9156
参考库存:2422
IRL2203NSTRLPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl
1:¥13.9894
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
800:¥6.9043
参考库存:3141
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