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晶体管
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KSP13BU

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数量单价合计
1
¥2.4634
2.4634
10
¥1.6611
16.611
100
¥0.69156
69.156
1,000
¥0.47686
476.86
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSP13
封装
Bulk
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
直流集电极/Base Gain hfe Min
5000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
KSP13BU_NL
单位重量
179 mg
商品其它信息
优势价格,KSP13BU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
1:¥4.9155
10:¥3.5143
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.76049
参考库存:23222
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
参考库存:11612
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET
1:¥19.9784
10:¥16.9839
100:¥13.6052
500:¥11.9102
参考库存:7614
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥3,957.26
10:¥3,780.528
参考库存:23229
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT
1:¥1,323.2639
2:¥1,286.6067
5:¥1,257.1815
10:¥1,220.4452
参考库存:23232
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