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晶体管
2N5885G参考图片

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2N5885G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 60V 200W NPN
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库存:2,002(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.4036
49.4036
10
¥44.7254
447.254
50
¥42.5671
2128.355
100
¥36.9623
3696.23
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
25 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5885
高度
8.51 mm (Max)
长度
39.37 mm
封装
Tray
宽度
26.67 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
25 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
12.020 g
商品其它信息
优势价格,2N5885G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T8 40V LOW COSS
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,500:¥17.2099
参考库存:5576
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 950 V, 4.3 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
参考库存:7143
晶体管
MOSFET NFET DPAK 60V 9A 1 50MOHM
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
2,500:¥2.0001
参考库存:6502
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥309.4392
5:¥302.5236
10:¥288.6924
25:¥276.624
参考库存:4247
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,500:¥3.1866
9,000:查看
参考库存:4314
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