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晶体管
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STGB30H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package
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库存：1,126(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥18.2834
182.834
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.8368
6418.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30H65FB
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGB30H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMBF170,235
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
10,000:¥0.3616
20,000:查看
参考库存:23831
DMTH6005LCT
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
50:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:7221
DMTH4007SPSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
2,500:¥4.0341
参考库存:23836
TK7A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm
1:¥10.9158
10:¥8.7575
100:¥6.6783
500:¥5.8986
参考库存:23839
CPH5902H-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
JFET NCH J-FET+BIP NPN TR
3,000:¥1.6159
9,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
参考库存:180229
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