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晶体管
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FDD86381-F085

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库存:4,520(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2206
52.206
100
¥3.3674
336.74
1,000
¥2.7007
2700.7
2,500
¥2.2713
5678.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDD86381_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
FDD86381_F085
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD86381-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
10,000:¥0.3616
20,000:查看
参考库存:23831
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
50:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:7221
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
2,500:¥4.0341
参考库存:23836
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm
1:¥10.9158
10:¥8.7575
100:¥6.6783
500:¥5.8986
参考库存:23839
晶体管
JFET NCH J-FET+BIP NPN TR
3,000:¥1.6159
9,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
参考库存:180229
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