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晶体管
PD55015TR-E参考图片

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PD55015TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
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库存:43,024(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥156.9118
156.9118
5
¥155.2959
776.4795
10
¥144.7643
1447.643
25
¥138.2329
3455.8225
600
¥112.2655
67359.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14 dB
输出功率
15 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55015-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
73 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55015TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A
1:¥2,739.8884
5:¥2,574.7502
参考库存:2225
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥59.551
10:¥53.788
25:¥51.2568
100:¥44.4881
3,000:¥32.4988
参考库存:2228
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥21.9785
10:¥18.6676
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,000:¥10.8367
参考库存:2696
晶体管
MOSFET SSOT-6 P-CH
1:¥3.842
10:¥3.1866
100:¥1.9436
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:92095
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 4A 8PIN
1:¥6.9947
10:¥5.9664
100:¥4.5765
500:¥4.0454
3,000:¥2.8363
9,000:查看
参考库存:2900
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