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晶体管
IFN5196参考图片

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IFN5196

  • InterFET
  • 新批次
  • JFET Dual JFET N-CH -50V 50mA 250mW 2.6mW
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数量单价合计
67
¥106.2652
7119.7684
100
¥97.745
9774.5
250
¥89.1344
22283.6
500
¥83.2923
41646.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-71-6
晶体管极性
N-Channel
配置
Dual
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 50 V
Vgs=0时的漏-源电流
7 mA
Id-连续漏极电流
- 200 uA
Pd-功率耗散
250 mW
系列
IFN519
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
1 mS
闸/源截止电压
- 4 V
工厂包装数量
1
零件号别名
2N5196
商品其它信息
优势价格,IFN5196的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL NPN 50V 100MA EMD3
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
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1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
8,000:¥0.59212
24,000:查看
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达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power PNP
1:¥5.0737
10:¥4.1584
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
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1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:7305
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
1,000:¥6.215
参考库存:3189
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