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晶体管
STGWA30H65DFB参考图片

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STGWA30H65DFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads package
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库存:33,796(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥16.3624
9817.44
1,200
¥13.8312
16597.44
3,000
¥13.1419
39425.7
5,400
¥12.5995
68037.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA30H65DFB
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGWA30H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
1:¥2.7685
10:¥1.808
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:69295
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3841
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
5,000:¥7.5032
参考库存:2191
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346
1:¥3.7629
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
3,000:¥0.99892
参考库存:8059
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥88.592
10:¥80.1396
25:¥76.3767
100:¥66.3084
参考库存:2541
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