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晶体管
BCY58-IX参考图片

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BCY58-IX

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
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数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
集电极—基极电压 VCBO
32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 At 10 uA, 5 V
Pd-功率耗散
340 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
BCY58-IX PBFREE
商品其它信息
优势价格,BCY58-IX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:130457
晶体管
MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES
1:¥3.5369
10:¥2.6668
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:31246
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥36.499
10:¥30.962
100:¥26.894
250:¥25.5154
500:¥22.8938
参考库存:2160
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥9.5259
10:¥8.2942
100:¥6.78
500:¥5.311
1,000:¥4.2375
2,000:¥3.8646
参考库存:10453
晶体管
MOSFET 500V 1KOhm
1:¥3.5369
10:¥3.503
25:¥3.0058
100:¥2.6894
参考库存:14809
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