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晶体管
DMT6007LFGQ-7参考图片

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DMT6007LFGQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.3167
63.167
100
¥4.8477
484.77
500
¥4.2827
2141.35
1,000
¥3.3787
3378.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI-3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
9.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.4 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
商品其它信息
优势价格，DMT6007LFGQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJE15031G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 150V 50W PNP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5371
500:¥6.667
1,000:¥5.2545
参考库存:4983
2N2221A
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥15.594
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.7632
参考库存:5070
IRFBC40LCPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥34.0356
10:¥28.2048
100:¥23.2102
250:¥22.5096
500:¥20.2044
参考库存:4032
BCX5316TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:47147
BFS17NTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:14967
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