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晶体管
DMT6007LFGQ-7参考图片

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DMT6007LFGQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.3167
63.167
100
¥4.8477
484.77
500
¥4.2827
2141.35
1,000
¥3.3787
3378.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI-3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
9.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.4 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
商品其它信息
优势价格,DMT6007LFGQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 4.2A 0.83W
3,000:¥6.328
6,000:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:30022
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078
2,000:¥3.1866
10,000:¥3.0623
24,000:¥2.9606
参考库存:30025
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
6,000:¥4.6217
参考库存:30028
晶体管
MOSFET 40V 121A Single N-Chan Pwr MOSFET
5,000:¥6.4297
10,000:¥6.3054
参考库存:30031
晶体管
JFET N-Ch JFET -25V 25ohm 50mA 360mW 3.27mW
323:¥22.0576
500:¥19.8202
1,000:¥16.7466
2,500:¥15.9104
参考库存:30034
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