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晶体管
PBSS4140U,135参考图片

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PBSS4140U,135

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
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数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.8306
18.306
100
¥0.78422
78.422
1,000
¥0.60681
606.81
10,000
¥0.4068
4068
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UMT-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 1 mA, 5 V
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Nexperia
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 1 mA, 5 V, 300 at 500 mA, 5 V, 200 at 1 A, 5 V
Pd-功率耗散
350 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
/T3 PBSS4140U
单位重量
5.600 mg
商品其它信息
优势价格，PBSS4140U,135的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2T21H140-24SR3
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥399.4098
5:¥390.4263
10:¥375.2052
25:¥363.1481
参考库存:31180
IPB107N20NAATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
1,000:¥32.1937
2,000:¥30.962
参考库存:31183
APTGT200DH60G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥801.3621
参考库存:31186
VS-GT200TP065N
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - IAP IGBT
24:¥748.3425
48:¥723.3695
72:¥713.4594
参考库存:31189
PXAC261002FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:31192
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