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晶体管
DMG6301UDW-7参考图片

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DMG6301UDW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
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库存：21,980(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.0114
20.114
100
¥0.86784
86.784
1,000
¥0.66896
668.96
3,000
¥0.50737
1522.11
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
240 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
850 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
360 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
370 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMG6301
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1 S
下降时间
2.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.6 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，DMG6301UDW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIA921EDJ-T4-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
3,000:¥1.808
6,000:查看
参考库存:15821
DMG4822SSDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:4124
DMC1028UFDB-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch 12VDss 8Vgss P-Ch 8Vdss 8Vgss
10,000:¥2.4634
参考库存:15826
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
1:¥7.6049
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,000:¥3.2544
参考库存:15829
DMT3006LFV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:4632
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