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晶体管
C2M0080170P参考图片

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C2M0080170P

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
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数量单价合计
1
¥266.4088
266.4088
100
¥256.1032
25610.32
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1700 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 5 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
277 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
9.73 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
25 ns
商品其它信息
优势价格,C2M0080170P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.65
1,000:¥4.4635
3,000:¥4.4635
参考库存:6101
晶体管
MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9833
1,500:¥3.4917
9,000:查看
参考库存:2773
晶体管
MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
1:¥22.1254
10:¥18.4416
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
2,000:¥10.3734
参考库存:4599
晶体管
MOSFET -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.2207
10:¥5.7969
100:¥4.3957
500:¥3.6386
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.6329
参考库存:35997
晶体管
MOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.2036
1,000:¥3.3109
3,000:¥3.1527
参考库存:33007
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