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晶体管
C2M0080170P参考图片

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C2M0080170P

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
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数量单价合计
1
¥266.4088
266.4088
100
¥256.1032
25610.32
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1700 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 5 V
Qg-栅极电荷
120 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
277 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
9.73 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
25 ns
商品其它信息
优势价格,C2M0080170P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
4,000:¥0.5989
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晶体管
MOSFET 12V 1.8A
3,000:¥1.8984
6,000:¥1.7628
9,000:¥1.7063
24,000:¥1.6385
参考库存:30381
晶体管
达林顿晶体管 TRNS DARLINGTN TAPE7
3,000:¥0.41471
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
45,000:¥0.30736
99,000:¥0.29945
参考库存:30384
晶体管
IGBT 模块
156:¥70.3877
312:¥66.9299
624:¥62.6246
1,092:¥57.4718
参考库存:30387
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 200K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:30390
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