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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	分立半导体模块
RoHS	是
产品	Power Semiconductor Modules
类型	SiC Power Module
Vf - 正向电压	1.8 V at 600 A
Vgs - 栅极-源极电压	- 4 V, 22 V
安装风格	Screw Mount
封装 / 箱体	Module
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BSMx
封装	Tray
配置	Chopper
技术	SiC
商标	ROHM Semiconductor
晶体管极性	N-Channel
典型延迟时间	70 ns
下降时间	65 ns
Id-连续漏极电流	576 A
Pd-功率耗散	2460 W
产品类型	Discrete Semiconductor Modules
上升时间	50 ns
工厂包装数量	4
子类别	Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间	240 ns
典型接通延迟时间	70 ns
Vds-漏源极击穿电压	1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压	2.7 V

商品其它信息

优势价格，BSM600C12P3G201的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N6287	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 . .	1:¥74.0715 10:¥73.4613 25:¥66.9299 100:¥60.3985	参考库存:3098
DSC5A01T0L	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm	3,000:¥0.46895 9,000:¥0.41471 24,000:¥0.39211	参考库存:33640
2N6229	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor	1:¥641.6931 2:¥621.7938 5:¥621.5565 10:¥601.5781	参考库存:3026
STGB20V60F	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed	1:¥23.3571 10:¥19.8202 100:¥17.2099 250:¥16.2946 1,000:¥12.3735 2,000:查看	参考库存:3851
EM6M1T2R	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N/P Ch, -20V, 0.15A	1:¥3.3787 10:¥2.7798 100:¥1.695 1,000:¥1.3108 8,000:¥1.04525 24,000:查看	参考库存:3631