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晶体管
STW56N60M2-4参考图片

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STW56N60M2-4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
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数量单价合计
1
¥57.1667
57.1667
10
¥51.7088
517.088
25
¥49.2567
1231.4175
100
¥42.8044
4280.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
52 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
91 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW56N60M2-4
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26.5 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
119 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格,STW56N60M2-4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5707
100:¥0.66105
1,000:¥0.44522
2,000:¥0.35369
参考库存:13536
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥153.7591
5:¥146.8435
10:¥142.3122
25:¥130.7071
参考库存:1974
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 400V 15W NPN
1:¥4.6895
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
2,500:¥1.5481
参考库存:9851
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.5369
10:¥2.26
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
2,000:¥0.56839
参考库存:12910
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.2261
10:¥1.4916
100:¥0.62263
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:17213
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