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晶体管
STW56N60M2-4参考图片

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STW56N60M2-4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
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数量单价合计
1
¥57.1667
57.1667
10
¥51.7088
517.088
25
¥49.2567
1231.4175
100
¥42.8044
4280.44
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
52 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
91 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW56N60M2-4
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26.5 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
119 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格，STW56N60M2-4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN6068LK3Q-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.3053
10:¥3.5708
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3,000:¥0.2147
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3,000:¥1.2543
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24,000:¥1.10627
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参考库存:15901
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