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晶体管

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DDB2U30N08VR

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库存:3,244(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥130.4698
130.4698
10
¥120.0286
1200.286
25
¥115.034
2875.85
100
¥101.3497
10134.97
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
封装 / 箱体
EASY750
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
35.6 mm
宽度
25.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
40
子类别
IGBTs
零件号别名
DDB2U30N08VRBOMA1 SP000100307
单位重量
10 g
商品其它信息
优势价格,DDB2U30N08VR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8
1:¥4.6895
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
4,000:¥1.7176
参考库存:14258
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 10mA 300mW 1.7mW
1:¥66.6926
10:¥54.7146
100:¥45.4147
500:¥41.3354
参考库存:2603
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 50A 600V
1:¥278.7032
5:¥275.7765
10:¥257.0298
25:¥245.5038
参考库存:2521
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual Switching NPN & PNP
1:¥3.2318
10:¥2.0905
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
4,000:¥0.52206
参考库存:22268
晶体管
MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.5086
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:9876
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