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晶体管

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2SD2118TLQ

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 5A
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数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.5991
45.991
100
¥2.9606
296.06
1,000
¥2.373
2373
2,500
¥2.0001
5000.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD2118
直流电流增益 hFE 最大值
390
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
5.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格,2SD2118TLQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 80V 38A 29mOhm 37nC
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1302
1,000:¥4.0454
2,000:¥4.0454
参考库存:5938
晶体管
MOSFET High Duty Cycle Sync Buck NexFET
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.3958
500:¥5.65
2,500:¥3.955
10,000:查看
参考库存:7526
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:5339
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥43.6406
10:¥37.1092
100:¥32.1146
250:¥30.51
500:¥27.3573
参考库存:4854
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:9966
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