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晶体管
FDP050AN06A0参考图片

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FDP050AN06A0

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库存:3,788(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.4415
16.4415
10
¥13.9894
139.894
100
¥11.1418
1114.18
500
¥9.7632
4881.6
1,000
¥8.1473
8147.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
245 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP050AN06A0
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
160 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
FDP050AN06A0_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP050AN06A0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5766
500:¥5.8195
5,000:¥4.068
10,000:查看
参考库存:3098
晶体管
MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:12336
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥58.2402
10:¥52.6354
25:¥50.2511
100:¥43.5728
参考库存:3989
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC
1:¥45.7989
10:¥41.4145
25:¥39.4935
100:¥34.2729
参考库存:3433
晶体管
MOSFET N-CH 30V 33A PWRFLT DEEPGATE
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
3,000:¥3.4239
9,000:查看
参考库存:4454
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