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晶体管
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FGH50T65UPD

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数量单价合计
1
¥38.646
38.646
10
¥32.8152
328.152
100
¥28.4308
2843.08
250
¥26.9731
6743.275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
240 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH50T65UPD
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH50T65UPD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥250.4193
250:¥229.8307
参考库存:36326
晶体管
MOSFET MOSFET P-Ch 60V 40A Rdson=0.016Ohm
暂无价格
参考库存:36329
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥373.6006
参考库存:36332
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥259.7192
250:¥238.3622
参考库存:36335
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥159.2848
250:¥146.1542
500:¥139.1595
参考库存:36338
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