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晶体管
DMN3190LDW-7参考图片

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DMN3190LDW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
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库存:76,359(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN3190
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
0.7 mS
下降时间
15.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30.3 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3190LDW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET P-Channel -30 V
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.7856
3,000:¥4.0454
9,000:查看
参考库存:15971
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
10,000:¥0.34578
20,000:¥0.32318
50,000:¥0.29945
100,000:¥0.26103
参考库存:15974
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 20V
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
3,000:¥1.6159
参考库存:15977
晶体管
MOSFET PMPB25ENE/SOT1220/SOT1220
1:¥3.2996
10:¥2.7007
100:¥1.6498
1,000:¥1.2656
参考库存:15980
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT 0.1A 50V 10KOhm / 10KOhm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:15983
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