您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
DMG302PU-7参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

DMG302PU-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 25V P-Ch Enh FET 27.2pF 0.35nC
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:23,359(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥0.86106
2583.18
9,000
¥0.80682
7261.38
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
170 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
0.35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
450 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMG302
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24.1 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMG302PU-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:3657
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9721
3,000:¥4.8816
9,000:查看
参考库存:3736
晶体管
MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
1,000:¥6.8026
参考库存:2523
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:1648
晶体管
MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
3,000:¥4.6104
参考库存:8787
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们