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晶体管
2N7002DW H6327参考图片

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2N7002DW H6327

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数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.808
18.08
100
¥0.77631
77.631
1,000
¥0.5989
598.9
3,000
¥0.45313
1359.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
600 pC, 600 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
2N7002
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
200 mS, 200 mS
下降时间
3.1 ns, 3.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns, 3.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.5 ns, 5.5 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 3 ns
零件号别名
2N7002DWH6327XTSA1 2N72DWH6327XT SP000917596
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,2N7002DW H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET, SOP-8 package
1:¥4.7686
10:¥3.7064
100:¥2.5538
1,000:¥1.3108
4,000:¥1.1639
参考库存:7439
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
参考库存:14170
晶体管
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
800:¥8.8366
参考库存:3947
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:22412
晶体管
MOSFET Nch 30V 7Ad Si MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.9437
100:¥2.5425
1,000:¥2.034
3,000:¥1.7176
参考库存:5145
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