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晶体管

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APT85GR120B2

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
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数量单价合计
1
¥124.2548
124.2548
10
¥112.9548
1129.548
25
¥104.4233
2610.5825
50
¥98.8185
4940.925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.5 V
在25 C的连续集电极电流
170 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
Pd-功率耗散
962 W
封装 / 箱体
TO-247-3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,APT85GR120B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 150Vcer 500mA 80MHz 35pF
1:¥31.9677
10:¥28.589
100:¥26.0465
250:¥23.5153
参考库存:3682
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥393.9632
5:¥372.674
10:¥368.4478
25:¥340.7854
参考库存:3297
晶体管
MOSFET HIGH POWER NEW
1:¥114.6498
10:¥105.429
25:¥101.0446
100:¥89.0553
2,000:¥65.6191
参考库存:4238
晶体管
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1:¥14.6787
10:¥12.2153
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8591
2,000:¥6.8591
参考库存:5292
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
10,000:¥0.23052
20,000:查看
参考库存:45140
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