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晶体管
CDM22012-800LRFP参考图片

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CDM22012-800LRFP

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 800V N-Ch LR FET 12A 30Vgs 12A 7.6nC
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数量单价合计
400
¥19.3682
7747.28
800
¥15.6731
12538.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
370 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
52.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
UltraMOS
封装
Bulk
系列
CDM
商标
Central Semiconductor
下降时间
42.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
44.8 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
171.2 ns
典型接通延迟时间
21.1 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，CDM22012-800LRFP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FMBA14
ON Semiconductor / Fairchild
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达林顿晶体管 NPN Multi-ChipTrans Darlington
1:¥3.3787
10:¥2.3617
100:¥1.08367
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.70738
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1,000:¥1.8871
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CPH3457-TL-W
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1:¥2.9945
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.78422
9,000:¥0.73789
参考库存:11351
IRF720SPBF
Vishay / Siliconix
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MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp
1:¥12.2153
10:¥10.0683
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2DA1774R-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
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1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:32427
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