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晶体管
SIA436DJ-T4-GE3参考图片

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SIA436DJ-T4-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
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库存:17,559(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥3.9776
39.776
100
¥3.0171
301.71
500
¥2.486
1243
1,000
¥2.0001
2000.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
9.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.35 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
25.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
19 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
11 ns
商品其它信息
优势价格,SIA436DJ-T4-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
1:¥81.4504
10:¥74.919
25:¥71.7663
100:¥63.2348
参考库存:8668
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:34678
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥3,174.4186
5:¥3,130.6876
10:¥3,021.1228
25:¥2,911.6258
参考库存:4038
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 27 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9212
500:¥5.2319
3,000:¥3.6612
9,000:查看
参考库存:4094
晶体管
MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
1:¥19.0518
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.3678
参考库存:5039
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