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晶体管
SQM47N10-24L_GE3参考图片

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SQM47N10-24L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V 47A 136W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥18.5207
18.5207
10
¥15.368
153.68
100
¥11.9102
1191.02
500
¥10.4525
5226.25
800
¥8.6784
6942.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SQM47N10-24L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100Vcbo 100Vces 12Vebo 500mA 625mW
10,000:¥0.71416
24,000:¥0.65314
50,000:¥0.63054
100,000:¥0.60681
参考库存:30845
晶体管
MOSFET SMD Small Sig Mosfet Dual N-Ch Enh Mode
2,500:¥2.0792
10,000:¥2.0001
25,000:¥1.921
参考库存:7021
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BUJ303CD/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *
7,500:¥1.921
10,000:¥1.8532
25,000:¥1.7854
50,000:¥1.7515
参考库存:30850
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100:¥456.1245
参考库存:30853
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30Vcbo 25Vceo 4.5Vebo 50mA 275mW
15,000:¥0.46895
30,000:¥0.43844
60,000:¥0.39211
105,000:¥0.37629
参考库存:30856
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