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晶体管
IAUT150N10S5N035ATMA1参考图片

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IAUT150N10S5N035ATMA1

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库存:6,215(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.4198
34.4198
10
¥29.2783
292.783
100
¥25.3572
2535.72
250
¥24.0464
6011.6
2,000
¥17.289
34578
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
67 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
166 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IAUT150N10S5N035 SP001416126
商品其它信息
优势价格,IAUT150N10S5N035ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 150V 50W PNP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5371
500:¥6.667
1,000:¥5.2545
参考库存:4983
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥15.594
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.7632
参考库存:5070
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥34.0356
10:¥28.2048
100:¥23.2102
250:¥22.5096
500:¥20.2044
参考库存:4032
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:47147
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:14967
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