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晶体管
SIHW30N60E-GE3参考图片

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SIHW30N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
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库存：1,587(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.4827
49.4827
10
¥40.9512
409.512
100
¥33.7305
3373.05
250
¥32.657
8164.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
480
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHW30N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC072N03LDGATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5766
500:¥5.8195
5,000:¥4.068
10,000:查看
参考库存:3098
ZXMHC10A07N8TC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:12336
IPP410N30NAKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥58.2402
10:¥52.6354
25:¥50.2511
100:¥43.5728
参考库存:3989
IRGP4640D-EPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC
1:¥45.7989
10:¥41.4145
25:¥39.4935
100:¥34.2729
参考库存:3433
STL150N3LLH6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 30V 33A PWRFLT DEEPGATE
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
3,000:¥3.4239
9,000:查看
参考库存:4454
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