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晶体管
STP16N60M2参考图片

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STP16N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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库存:5,318(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.0518
19.0518
10
¥16.2155
162.155
100
¥12.9837
1298.37
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
320 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
高度
4.6 mm
长度
15.75 mm
产品
Power MOSFET
系列
STP16N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh M2
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
18.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP16N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 80V 38A 29mOhm 37nC
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1302
1,000:¥4.0454
2,000:¥4.0454
参考库存:5938
晶体管
MOSFET High Duty Cycle Sync Buck NexFET
1:¥9.7632
10:¥8.2942
100:¥6.3958
500:¥5.65
2,500:¥3.955
10,000:查看
参考库存:7526
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
1,000:¥10.5994
参考库存:5339
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥43.6406
10:¥37.1092
100:¥32.1146
250:¥30.51
500:¥27.3573
参考库存:4854
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:9966
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