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晶体管
AFGB40T65SQDN参考图片

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AFGB40T65SQDN

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V/40A FS4 IGBT
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库存:5,064(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.51
30.51
10
¥25.8996
258.996
100
¥22.4418
2244.18
250
¥21.2892
5322.3
800
¥16.1364
12909.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
238 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,AFGB40T65SQDN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.5205
10:¥12.0684
100:¥9.379
500:¥8.1473
3,000:¥8.1473
参考库存:5175
晶体管
MOSFET 600V NCH MOSFET
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
参考库存:4027
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS
1:¥6.3054
10:¥5.2997
100:¥3.4239
1,000:¥2.7346
2,500:¥2.3052
参考库存:6900
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SuperSOT
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:21149
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 5.4A 39mOhm 37nC
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
4,000:¥3.4578
参考库存:5913
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