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晶体管
AFGB40T65SQDN参考图片

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AFGB40T65SQDN

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V/40A FS4 IGBT
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库存:5,064(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.51
30.51
10
¥25.8996
258.996
100
¥22.4418
2244.18
250
¥21.2892
5322.3
800
¥16.1364
12909.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
238 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,AFGB40T65SQDN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
1:¥6.9156
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥4.0115
1,000:¥3.164
3,000:¥3.164
参考库存:5840
晶体管
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥14.6787
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:3062
晶体管
MOSFET 20V N channel MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.3787
100:¥2.2939
500:¥1.582
3,000:¥1.05316
9,000:查看
参考库存:20647
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
4,000:¥2.8815
参考库存:14181
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6
1:¥5.1528
10:¥4.1697
100:¥3.164
500:¥2.6103
3,000:¥2.6103
参考库存:8970
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