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晶体管
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MRFX600HSR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX600HS/CFM4F///REEL 13
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1
¥1,049.8604
1049.8604
5
¥1,029.2718
5146.359
10
¥981.2468
9812.468
25
¥960.6582
24016.455
50
¥960.6582
48032.91
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
32 A
Vds-漏源极击穿电压
193 V
增益
26.4 dB
输出功率
600 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4L
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935376371178
商品其它信息
优势价格，MRFX600HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC2712-GR(TE85L,F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150mA 50V
暂无价格
参考库存:27564
NVMFS5C670NLWFAFT3G
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MOSFET TRENCH 6 60V NFET
1:¥7.8422
10:¥6.7348
100:¥5.1754
500:¥4.5765
5,000:¥3.2092
10,000:查看
参考库存:27567
NVMFS5C673NLAFT3G
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MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥2.3165
10,000:¥2.2261
25,000:¥2.147
参考库存:6243
NVD5802NT4G-VF01
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2,500:¥6.102
5,000:¥5.876
10,000:¥5.65
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IPP80N08S2-07
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500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
2,500:¥9.379
5,000:¥8.9948
参考库存:27575
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