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晶体管
SCT3120ALGC11参考图片

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SCT3120ALGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
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数量单价合计
1
¥55.709
55.709
10
¥50.3302
503.302
25
¥48.025
1200.625
100
¥41.6518
4165.18
250
¥39.7986
9949.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247N-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 4 V, 22 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
103 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCT3x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.7 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SCT3120AL
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SCT3120ALGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V LOW V-SAT SOT23
1:¥3.2996
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.81473
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1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
4,000:¥0.7684
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晶体管
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1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:3975
晶体管
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1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
2,000:¥3.1753
参考库存:1994
晶体管
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1:¥2.7685
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.7458
9,000:¥0.69947
参考库存:16624
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