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晶体管
STB13N80K5参考图片

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STB13N80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5
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库存:3,849(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.7305
33.7305
10
¥28.6568
286.568
100
¥24.8148
2481.48
250
¥23.5944
5898.6
500
¥21.131
10565.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB13N80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB13N80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH VOLTAGE
1:¥7.0738
10:¥6.0455
100:¥4.6443
500:¥4.1019
1,000:¥3.2318
2,500:¥3.0849
参考库存:26177
晶体管
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
1:¥37.4934
10:¥30.1258
100:¥27.5042
250:¥24.8148
2,500:¥17.8314
5,000:查看
参考库存:4131
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥378.437
5:¥365.6793
10:¥353.7691
25:¥327.1802
参考库存:4140
晶体管
MOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET
1:¥80.456
10:¥72.772
25:¥69.382
100:¥60.2403
参考库存:36281
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
参考库存:4577
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