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晶体管
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2N918/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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数量单价合计
100
¥114.4916
11449.16
200
¥104.3442
20868.84
500
¥97.6659
48832.95
1,000
¥89.5977
89597.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-72-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
50 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 3 mA, 1 V
封装
Reel
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
10 at 500 uA, 10 V
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2N918/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin
1:¥2.6894
10:¥1.8758
100:¥0.78422
1,000:¥0.53788
10,000:¥0.3616
20,000:查看
参考库存:11207
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.4634
10:¥1.695
100:¥0.69156
1,000:¥0.53788
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:21822
晶体管
MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
1:¥53.7089
10:¥48.5674
25:¥46.2622
100:¥40.1828
1,000:¥30.51
参考库存:3172
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥8.2942
10:¥7.1077
100:¥5.4579
500:¥4.8251
1,000:¥3.8081
参考库存:2714
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S262W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥625.6358
5:¥614.1098
10:¥586.5152
25:¥566.921
参考库存:21829
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