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晶体管
STGW80V60F参考图片

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STGW80V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
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库存:3,058(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥84.9873
84.9873
10
¥76.7609
767.609
25
¥73.224
1830.6
100
¥63.5512
6355.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW80V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW80V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET CSD87501L 30-VDual N Channel Power MOSFET
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5313
500:¥4.0002
3,000:¥2.8024
9,000:查看
参考库存:7186
晶体管
MOSFET Nch 250V 6A TO-252 (DPAK)
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.4636
500:¥5.7065
2,500:¥4.0002
10,000:查看
参考库存:7208
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥64.0032
10:¥57.856
25:¥55.1666
100:¥47.8668
参考库存:5198
晶体管
MOSFET MV780/20V1000AMOSFET N-channelPowerTrench
1:¥6.9156
10:¥5.7291
100:¥3.6951
1,000:¥2.9606
2,500:¥2.4973
参考库存:8664
晶体管
MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥9.4468
10:¥8.3733
100:¥6.8817
500:¥5.3788
3,000:¥3.8985
6,000:查看
参考库存:7346
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