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晶体管
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FDG6321C

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库存:14,939(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.825
28.25
100
¥1.5368
153.68
1,000
¥1.1526
1152.6
3,000
¥0.99101
2973.03
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
500 mA, 410 mA
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDG6321C
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
FET
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
1.45 S, 0.9 S
下降时间
8.5 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.5 ns, 8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns, 55 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 7 ns
零件号别名
FDG6321C_NL
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,FDG6321C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:2966
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -45A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥11.8311
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.893
1,000:¥5.4353
参考库存:3111
晶体管
MOSFET PLANAR_MOSFETS
1:¥5.6048
10:¥4.7121
100:¥3.0397
1,000:¥2.4295
4,000:¥2.4295
参考库存:13895
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V/100mA/10K 10K
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:18644
晶体管
达林顿晶体管 Eight NPN Array
1:¥8.3733
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
参考库存:3563
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