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晶体管
NTE4153NT1G参考图片

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NTE4153NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V 915mA N-Channel
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库存:47,473(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.3391
23.391
100
¥1.00683
100.683
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.58421
1752.63
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
915 mA
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.82 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTE4153N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
0.85 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1.4 S
下降时间
7.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
3.7 ns
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,NTE4153NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
1:¥27.9675
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:6369
晶体管
达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9608
参考库存:4720
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W
1:¥6.9156
10:¥5.8534
100:¥4.4974
500:¥3.9776
3,000:¥2.7798
9,000:查看
参考库存:8777
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
3,000:¥1.3673
参考库存:10542
晶体管
MOSFET NFET SOT23 60V 310MA 2.5
1:¥1.2317
10:¥1.1865
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.20792
参考库存:120089
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