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晶体管
TK4R3A06PL,S4X参考图片

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TK4R3A06PL,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 68A 36W
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数量单价合计
1
¥15.2889
15.2889
10
¥12.2944
122.944
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
68 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48.2 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
36 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS800R07A2E3_B31
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100:¥7.6049
500:¥6.78
1,000:¥5.3562
3,000:¥4.746
参考库存:5997
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