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晶体管

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制造商:STMicroelectronics
批号:新批次
描述:IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
技术	SiC
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.15 V
在25 C的连续集电极电流	5 A
Pd-功率耗散	13.6 W
封装 / 箱体	N2DIP-26L
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
系列	STGIPQ5C60T-HZS
商标	STMicroelectronics
安装风格	Through Hole
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	360
子类别	IGBTs
商标名	SLLIMM

商品其它信息

优势价格，STGIPQ5C60T-HZS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI7145DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥17.5941 10:¥14.6787 100:¥11.3678 500:¥9.9101 1,000:¥8.2264 3,000:¥8.2264	参考库存:7374
IPD90N03S4L-02	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2	1:¥12.9046 10:¥10.9836 100:¥8.7575 500:¥7.684 2,500:¥5.9438 5,000:查看	参考库存:6567
NVD5890NT4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI	1:¥14.5205 10:¥12.2944 100:¥9.831 500:¥8.6106 2,500:¥6.6444 5,000:查看	参考库存:5956
MRF150	MACOM	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB	1:¥376.742 10:¥352.2323	参考库存:4430
TK17E80W,S1X	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W	1:¥32.2728 10:¥25.9674 100:¥23.6622 250:¥21.357	参考库存:4074