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晶体管
STGB40H65FB参考图片

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STGB40H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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库存:2,091(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥20.7468
207.468
100
¥17.9783
1797.83
250
¥17.063
4265.75
1,000
¥12.9046
12904.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB40H65FB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB40H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
1:¥49.8669
10:¥47.799
25:¥43.7988
50:¥41.8778
参考库存:3540
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20A 150W 250Vcbo 200Vceo 12A 8.0Mhz
1:¥117.0228
10:¥115.8024
25:¥107.1918
100:¥98.5134
250:¥89.7446
参考库存:3611
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.56839
参考库存:5092
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥18.1365
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.8367
参考库存:4522
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 RECOMMENDED ALT 755-DTC044EUBTL
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:5320
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