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晶体管
STGB40H65FB参考图片

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STGB40H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥20.7468
207.468
100
¥17.9783
1797.83
250
¥17.063
4265.75
1,000
¥12.9046
12904.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB40H65FB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB40H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
1:¥6.9156
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥4.0115
1,000:¥3.164
3,000:¥3.164
参考库存:5840
晶体管
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥14.6787
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:3062
晶体管
MOSFET 20V N channel MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.3787
100:¥2.2939
500:¥1.582
3,000:¥1.05316
9,000:查看
参考库存:20647
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
4,000:¥2.8815
参考库存:14181
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6
1:¥5.1528
10:¥4.1697
100:¥3.164
500:¥2.6103
3,000:¥2.6103
参考库存:8970
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