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晶体管
IRLR3410TRRPBF参考图片

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IRLR3410TRRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
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库存：5,840(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9099
59.099
100
¥4.5313
453.13
500
¥4.0115
2005.75
1,000
¥3.164
3164
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
155 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
22.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
53 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
零件号别名
SP001558920
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRLR3410TRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMBF170,235
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
10,000:¥0.3616
20,000:查看
参考库存:23831
DMTH6005LCT
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
50:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:7221
DMTH4007SPSQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
2,500:¥4.0341
参考库存:23836
TK7A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm
1:¥10.9158
10:¥8.7575
100:¥6.6783
500:¥5.8986
参考库存:23839
CPH5902H-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
JFET NCH J-FET+BIP NPN TR
3,000:¥1.6159
9,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
参考库存:180229
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