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晶体管
IRLR3410TRRPBF参考图片

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IRLR3410TRRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
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库存:5,840(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9099
59.099
100
¥4.5313
453.13
500
¥4.0115
2005.75
1,000
¥3.164
3164
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
155 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
22.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
53 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
零件号别名
SP001558920
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRLR3410TRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:6831
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
1,000:¥7.3789
参考库存:5418
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.3 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:4634
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥54.5564
10:¥49.3358
25:¥47.0306
100:¥40.8834
参考库存:4942
晶体管
MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥16.2946
250:¥15.4471
500:¥13.8312
参考库存:5030
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