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晶体管
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IPT020N10N3

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数量单价合计
1
¥51.0986
51.0986
10
¥46.1831
461.831
25
¥44.0248
1100.62
100
¥38.194
3819.4
2,000
¥28.9732
57946.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
300 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
156 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.58 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.1 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
125 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
84 ns
典型接通延迟时间
34 ns
零件号别名
IPT020N10N3ATMA1 SP001100160
单位重量
65 mg
商品其它信息
优势价格,IPT020N10N3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:5127
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