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晶体管
SIS106DN-T1-GE3参考图片

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SIS106DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:7,159(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.1473
8.1473
10
¥6.7235
67.235
100
¥5.1641
516.41
500
¥4.4409
2220.45
1,000
¥3.503
3503
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
18.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
24 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,SIS106DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1093
10:¥33.1994
100:¥28.815
250:¥27.2782
1,700:¥19.5942
3,400:查看
参考库存:2351
晶体管
MOSFET N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥7.2207
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥3.8985
1,000:¥3.0849
3,000:¥3.0849
参考库存:8501
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 40A 24MOHM
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.1868
2,500:¥5.537
5,000:查看
参考库存:4272
晶体管
MOSFET PCH4.5V DRIVE SERIES
1:¥7.3789
10:¥6.2489
100:¥4.8025
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
参考库存:4542
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥70.3086
10:¥63.5512
25:¥60.5454
100:¥52.5563
1,700:¥38.42
参考库存:3365
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