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STP10LN80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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1
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10
¥15.9104
159.104
100
¥12.7577
1275.77
500
¥11.1418
5570.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
630 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP10LN80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
11.8 ns
单位重量
2.240 g
商品其它信息
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