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晶体管
ULN2003AINE4参考图片

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ULN2003AINE4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
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库存:35,513(价格仅供参考)
数量单价合计
1,175
¥2.6781
3146.7675
2,000
¥2.4182
4836.4
5,000
¥2.2487
11243.5
10,000
¥2.1696
21696
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Array 7
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-16
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 105 C
系列
ULN2003AI
封装
Tube
高度
4.57 mm
长度
19.3 mm
工作温度范围
- 40 C to + 105 C
宽度
6.35 mm
商标
Texas Instruments
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,ULN2003AINE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:10939
晶体管
MOSFET 40V 50A P-CH MOSFET
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3337
500:¥6.3054
2,000:¥6.3054
参考库存:3195
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS PNP
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:12119
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
1:¥955.2794
5:¥936.5214
10:¥892.8808
25:¥874.1341
参考库存:3201
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-11
1:¥1.07576
10:¥0.91417
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:34833
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