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晶体管
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MJD117T4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP
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库存：10,190(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8307
38.307
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.9775
1977.5
2,500
¥1.9775
4943.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
20 uA
Pd-功率耗散
20 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD117
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
12000
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
351 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC2712-GR(TE85L,F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150mA 50V
暂无价格
参考库存:27564
NVMFS5C670NLWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
1:¥7.8422
10:¥6.7348
100:¥5.1754
500:¥4.5765
5,000:¥3.2092
10,000:查看
参考库存:27567
NVMFS5C673NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥2.3165
10,000:¥2.2261
25,000:¥2.147
参考库存:6243
NVD5802NT4G-VF01
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH
2,500:¥6.102
5,000:¥5.876
10,000:¥5.65
参考库存:27572
IPP80N08S2-07
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS
500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
2,500:¥9.379
5,000:¥8.9948
参考库存:27575
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