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晶体管
MJD117T4G参考图片

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MJD117T4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP
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库存:10,190(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8307
38.307
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.9775
1977.5
2,500
¥1.9775
4943.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
20 uA
Pd-功率耗散
20 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD117
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
12000
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
351 mg
商品其它信息
优势价格,MJD117T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS
1:¥11.2209
10:¥8.9948
100:¥6.8817
500:¥6.0794
参考库存:2947
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 0.15A SOT-416
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:10085
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 50MA
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:15506
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥3.616
10:¥2.938
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
参考库存:6507
晶体管
MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
1:¥20.8259
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
参考库存:2899
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