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晶体管
TK5P60W,RVQ参考图片

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TK5P60W,RVQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF
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库存：6,488(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥13.3679
133.679
100
¥10.7576
1075.76
500
¥8.3733
4186.65
2,000
¥6.5653
13130.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
770 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK5P60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
40 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK5P60W,RVQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLI520NPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 7.7A 180mOhm 13.3nC LogLv
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
参考库存:4678
IRFI4227PBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 26A 22mOhm 73nC
1:¥20.7468
10:¥17.5941
100:¥14.0572
500:¥12.2944
1,000:¥10.2152
参考库存:4721
STB46NF30
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 300 V, 0.063 Ohm typ., 42 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
1,000:¥15.9782
2,000:查看
参考库存:5585
STU85N3LH5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 30V
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
参考库存:19918
ULN2803A
STMicroelectronics
晶体管
达林顿晶体管 Eight NPN Array
1:¥9.1417
10:¥7.8422
100:¥5.989
500:¥5.2884
参考库存:36260
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