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晶体管
STGW40V60DLF参考图片

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STGW40V60DLF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
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库存:4,800(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.2783
29.2783
10
¥24.8939
248.939
100
¥21.5152
2151.52
250
¥20.4417
5110.425
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40V60DLF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,STGW40V60DLF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
1,000:¥13.6052
2,000:查看
参考库存:4352
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:33781
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
1:¥31.9677
10:¥27.1991
100:¥23.5944
250:¥22.3627
参考库存:3346
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥30.51
10:¥25.8996
100:¥22.4418
250:¥21.2892
参考库存:33993
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:12350
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